力成 资本支出下修16%
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蔡笃恭强调,受到主要DRAM厂自本季即起移转大量的产能生产Mobile DRAM(行动用DRAM)及NAND Flash(储存型快闪记忆体),本季底DRAM供过于求即可大幅改善,预估价格可望止稳甚或回升。
力成昨天法说会由蔡笃恭及总经理廖忠机主持,由于力成获利一直是衡量记忆体动向指标,昨天出席法人挤满会场,力成也不负众望,交出历史最佳营收和获利成绩。力成昨天股价下跌1.5元,以105元作收。
公司表示,首季营收受到尔必达减产标准型DRAM及东芝跳电致NAND Flash产出,营收将比去年第四季减少逾一成,但因Mobile DRAM增加的速度非常快,且封装单价较高,减幅估计仅3%,优于预期,但汇损的因素仍在,本季毛利率仍将减少1到2个百分点。
他说,对力成而言,由于主力客户第二季Mobile DRAM订单量倍增,力成营收持续升温,至于Mobile DRAM出货可占整体DRAM比重35%,成为推动营收成长的主力;下半年各DRAM 厂又积极推升制程到3X奈米,挹注力成订单动能仍强,全年营收可望成长10%到15%。
不过受到主力客户产出颗数减少,力成今年资本支出由前次法说会预估120亿元,下修到100亿元,减幅16.7%。
力成去年第四季合并营收100.57亿元,季增2.2%;营业毛利75.36亿元,季减8.6%;毛利率由上一季的28%下滑至25.1%,致营业利益20.53亿元,较上季减少11.5% ;税后纯益18.16亿元,每股税后纯益2.5元,较上季减少12.4%。
廖忠机表示,去年第四季毛利率比第三季下滑主要受到汇率的影响,基本上,新台币兑美元每升值1元,毛利率将掉2 个百分点,而去年第四季新台币兑美元升值1.4元,因此影响毛利率约2.8个百分点,这也是去年毛利率由28%降到25.1 %的最大关键。
力成去年合并营收378.3亿元,年增率26.2%;税后纯益76.47亿元,年增54.4%,每股税后纯益10.53元。