进入3D IC时代　日月光宣示3大封装技术发展规画

台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan 2010)开展，3D IC技术成为会场展示的重头戏之一。随着进入3D IC时代，封装厂如日月光等推动不遗余力。日月光集团研发中心总经理暨研发长唐和明表示，3D IC是未来半导体发展的主流趋势，日月光在3D IC技术开发分为微间距堆栈(Package on Package；PoP)、内埋组件基板及整合组件技术、硅穿孔(TSV)硅基板及TSV 3D微间距芯片堆栈封装等3部分。
3D IC是未来半导体发展的主流趋势，更是台湾半导体产业发展的重要里程碑，发展3D IC除了必须具备整合性先进封装测试技术，更要和客户就产品功能同步设计(co-design)并建立技术标准化平台。
唐和明表示，日月光在3D IC 技术开发可分成3部分，即微间距堆栈、内埋组件基板整合组件技术、TSV硅基板及TSV 3D微间距芯片堆栈封装。
内埋组件基板结合基板制程和封装制程在基板内放置主动或被动组件，达到薄型化目的。整合组件技术则是充分利用等效电路组件设计和材料电性透过晶圆制程提供微型化R、L、C功能或射频组件匹配电路，强化讯号及功率效能。
日月光在TSV硅基板及TSV 3D微间距芯片堆栈封装开发主要着眼于3大类应用，包括硅基板应用、内存! ／逻辑堆栈应用、异质芯片整合应用。
唐和明指出，目前45、40奈米芯片的无铅覆晶封装，面临因芯片与基板接口热膨胀系数差异产生的脆性超低诱电= (Extra Low-K；ELK)层分离工程问题。透过结构上放置硅基板于芯片与基板接口，因为材料相近可大幅降低ELK层的热应力，而避免脆性ELK层分离问题。
由于硅基板上半界面可以微间距和芯片衔接，而硅基板布线更可减少硅基板下半界面与基板衔接I/O密度，因此可以用较大间距的低价封装基板，以满足覆晶封装。
唐和明说，内存／逻辑堆栈应用技术将透过TSV技术将内存模块、逻辑芯片、基板覆晶堆栈封装达到宽带、高速、微型、低耗电的需要，主要应用在高阶可携式产品，诸如智能型手机、手持式连网装置(MID)、Netbook以满足通讯、游戏、照相机、影音及投影机等多功能机未来需求。在实际应用方面，逻辑芯片可能涵盖范围包括基频芯片、特殊应用处理器、绘图芯片、游戏用控制芯片。
针对未来半导体市场，唐和明认为，产品需求将依循2个主流，即追求速度、效能的摩尔定律及寻求优质生活质量的超越摩尔定律(More-Than-Moore)。
整合硅材基板技术、内存、逻辑芯片、微机电芯片、传感器(Sensor)、射频无线通信芯片彼此间透过优化设计以芯片堆栈及系统覆晶封装型式达到异质芯片整合应用目的，可用? W进优质生活质量应用，例如人体生医监控系统。