SiP主外 3D IC主內，兩者是互補技術

3D IC作為新興的半導體製程技術之一，已吸引許多關注的目光，但同時也引來許多的爭議。尤其是與SiP技術間的差異。對此，專精於晶片封裝的半導體技術供應商Tessera提出了獨到的看法。

附圖 : Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell

SiP技術已普遍用在手機上

Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell表示，在現今市場上，SiP技術已普遍用在手機上。尤其在智慧型手機中，可以找到兩到三個，甚至是四個SiP，因為這項技術已被廣泛地運用在藍牙、WiFi與GPS等無線技術上。此外，快閃記憶卡也可被視為SiP應用的一種。隨著這些應用的普及，每年約有數十億顆SiP晶片被製造並銷售到市面上。

單就手機市場的普遍應用來看，Mitchell認為SiP的基礎技術已相對成熟。然而，SiP應被視為能夠不斷發展的工具套件，以符合特定應用在尺寸、效能，或是價格需求。但他也指出，SiP技術仍存在許多挑戰，其中最主要的挑戰為訊號整合、功率分佈及散熱，尤其是在嘗試結合類比與數位科技時。同時，為了能更完整地發揮SiP技術的優勢，設計與製模工具也需要被有效地改善。

3D IC是電子裝置持續微型化與整合的重要階段

至於3D IC技術，Mitchell表示，3D IC是電子裝置持續微型化與整合的下個重要階段。在整體半導體產業中，許多公司都在研發能符合該領域需求的技術，而矽穿孔（TSV）就是一項特殊的技術，並已引起市場的高度關注，許多公司也已推出適合量產的TSV技術。

SiP與3D IC是互補的技術 而非競爭

而對於SiP與3D IC之間的爭議，Mitchell則認為，SiP與3D IC是互補的技術，而非相互競爭。他表示，這兩項技術在3D整合工具套件中，皆有相當的價值。相較於SiP技術在「晶片外（off-chip）」封裝所造成的延遲與互連密度限制，3D IC技術則是藉由提供裝置間虛擬的「晶片上（on-chip）」路由，能在晶片間提供更高速度與更大的頻寬。另一方面，由於SiP技術運用已完善建立的基礎架構，因此成本通常較低，且較容易建置。

Mitchell強調，每一項新技術都會面臨挑戰，而且在大多數的情況裡，這些挑戰都會被克服。雖然這些挑戰通常都與特定應用相關，但3D IC技術一般來說會面臨的主要挑戰包含：有效的設計與製模工具、電源管理、熱量管理、基礎建設的完善度，以及最終成本的控制。此外，隨著這個產業朝向異質3D IC堆疊整合的方向發展，為了解決良裸晶粒（known-good-die）問題，並協調不同裝置來源的設計與產品，將會衍伸出物流與商業上的諸多挑戰。