G450C公布450mm晶圆生产设备的初步评估结果
时间：2013-12-16 05:41:00
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[导读]全球450联盟(G450C)在IEDM 2013上介绍了正在美国纳米科学与工程学院（College of Nanoscale Science and Engineering）的开发基地开发的450mm晶圆生产设备的初步评估结果（演讲序号：13.6）。演讲者是G450C总经理Joh
全球450联盟(G450C)在IEDM 2013上介绍了正在美国纳米科学与工程学院（College of Nanoscale Science and Engineering）的开发基地开发的450mm晶圆生产设备的初步评估结果（演讲序号：13.6）。演讲者是G450C总经理John Lin（台积电）。
G450C在全球首个450mm晶圆无尘室中设置了工艺开发用生产设备，该联盟的加盟企业正在联手推进技术开发。2013年将设置34台生产设备，累计可以利用41台生产设备。当前正在进行14nm工艺技术的实际验证，计划2016年之前完成7nm工艺技术的实证实验。John Lin表示，预计将利用该成果，“由参与G450C的半导体厂商在2018～2019年采用450mm晶圆开始量产”。
设置的生产设备台数（点击放大）
关于曝光设备的计划（点击放大）
在演讲中，John Lin根据不同制造工艺介绍了使用G450C设置的生产设备进行了验证的晶圆处理结果。John Lin表示，“结果均好于预期”。比如，在多晶硅的蚀刻中，按照3σ值可将450mm晶圆整面的处理速度偏差降至1.8％。CVD的偏差（1σ值）方面，氧化膜为2.2％、SiN膜为0.66％。此外，CMP（化学机械研磨）的偏差（3σ值）降至3.8％、镀铜的偏差（1σ值）降至1.63％。
利用DSA工艺形成图案（点击放大）
CVD的均匀性（点击放大）
据介绍，今后最大的课题是曝光设备的开发。由于微细化与大口径化均在发展，因此必须将CD（临街尺寸）偏差降至1nm以下、将叠加精度降至1nm。还必须开发高速运动的载物台等，提高处理能力。曝光设备方面，将于2014年下半年在尼康的开发基地利用ArF液浸装置开始图形化实验，在2015年下半年将该公司的装置配备到G450C的研发基地。计划在2016年下半年前后配备支持450mm的EUV曝光装置。由于目前无法利用450mm曝光装置，因此利用DSA工艺在450mm晶圆上成功形成了28nm间距的线宽及线间隔图案。（记者：大下 淳一，日经BP半导体调查）
G450C在全球首个450mm晶圆无尘室中设置了工艺开发用生产设备，该联盟的加盟企业正在联手推进技术开发。2013年将设置34台生产设备，累计可以利用41台生产设备。当前正在进行14nm工艺技术的实际验证，计划2016年之前完成7nm工艺技术的实证实验。John Lin表示，预计将利用该成果，“由参与G450C的半导体厂商在2018～2019年采用450mm晶圆开始量产”。
设置的生产设备台数（点击放大）
关于曝光设备的计划（点击放大）
在演讲中，John Lin根据不同制造工艺介绍了使用G450C设置的生产设备进行了验证的晶圆处理结果。John Lin表示，“结果均好于预期”。比如，在多晶硅的蚀刻中，按照3σ值可将450mm晶圆整面的处理速度偏差降至1.8％。CVD的偏差（1σ值）方面，氧化膜为2.2％、SiN膜为0.66％。此外，CMP（化学机械研磨）的偏差（3σ值）降至3.8％、镀铜的偏差（1σ值）降至1.63％。
利用DSA工艺形成图案（点击放大）
CVD的均匀性（点击放大）
据介绍，今后最大的课题是曝光设备的开发。由于微细化与大口径化均在发展，因此必须将CD（临街尺寸）偏差降至1nm以下、将叠加精度降至1nm。还必须开发高速运动的载物台等，提高处理能力。曝光设备方面，将于2014年下半年在尼康的开发基地利用ArF液浸装置开始图形化实验，在2015年下半年将该公司的装置配备到G450C的研发基地。计划在2016年下半年前后配备支持450mm的EUV曝光装置。由于目前无法利用450mm曝光装置，因此利用DSA工艺在450mm晶圆上成功形成了28nm间距的线宽及线间隔图案。（记者：大下 淳一，日经BP半导体调查）
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