“这就是我们的14nm工艺”，英特尔有信心继续微细化
时间：2013-09-13 05:32:00
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[导读]“这就是我们的可实际开展工作的14nm工艺”。美国英特尔首席执行官（CEO）布莱恩·克兰尼克（Brian Krzanich）在2013年9月10日于美国旧金山举行的“Intel Developer Forum（IDF）”主题演讲中，现场演示了配备新一代
“这就是我们的可实际开展工作的14nm工艺”。美国英特尔首席执行官（CEO）布莱恩·克兰尼克（Brian Krzanich）在2013年9月10日于美国旧金山举行的“Intel Developer Forum（IDF）”主题演讲中，现场演示了配备新一代14nm级微处理器“Broadwell”（开发代码）的个人电脑（Ultrabook）。
“将在2013年内开始量产采用14nm级工艺技术的处理器”。克兰尼克在主题演讲中宣布，将按照计划使工艺技术微细化至14nm。配备Broadwell的产品估计可在2014年提供给厂商。
英特尔首席执行官（CEO）布莱恩·克兰尼克手拿配备14nm级微处理器“Broadwell”的Ultrabook（点击放大）
14nm工艺的芯片（点击放大）
每两年进行一次微细化，2017年将微细化至7nm工艺（点击放大）
英特尔已经量产的high-k（高介电常数）栅极绝缘膜和Tri-Gate晶体管原以为很难制造（点击放大）
据介绍，当处理器的工艺技术微细化至14nm后，与现有的基于22nm级“Haswell”（开发代码）的处理器相比，可将耗电量降低30％。英特尔坚持推进每两年进行一次微细化的技术战略，计划2013年量产14nm工艺技术、2015年量产10nm工艺技术、2017年量产7nm工艺技术。在此次的主题演讲中，该公司强调最新的14nm工艺技术正在顺利推进研发。
英特尔将在14nm工艺中继续采用22nm工艺中导入的立体沟道构造Tri-Gate晶体管（FinFET）技术。在克兰尼克之后亮相的该公司总裁雷内·詹姆斯（Renee James）表示，利用以Tri-Gate为代表的技术突破，“摩尔法则”能够继续拥有生命力。（记者：木村 雅秀，日经BP半导体调查）
“将在2013年内开始量产采用14nm级工艺技术的处理器”。克兰尼克在主题演讲中宣布，将按照计划使工艺技术微细化至14nm。配备Broadwell的产品估计可在2014年提供给厂商。
英特尔首席执行官（CEO）布莱恩·克兰尼克手拿配备14nm级微处理器“Broadwell”的Ultrabook（点击放大）
14nm工艺的芯片（点击放大）
每两年进行一次微细化，2017年将微细化至7nm工艺（点击放大）
英特尔已经量产的high-k（高介电常数）栅极绝缘膜和Tri-Gate晶体管原以为很难制造（点击放大）
据介绍，当处理器的工艺技术微细化至14nm后，与现有的基于22nm级“Haswell”（开发代码）的处理器相比，可将耗电量降低30％。英特尔坚持推进每两年进行一次微细化的技术战略，计划2013年量产14nm工艺技术、2015年量产10nm工艺技术、2017年量产7nm工艺技术。在此次的主题演讲中，该公司强调最新的14nm工艺技术正在顺利推进研发。
英特尔将在14nm工艺中继续采用22nm工艺中导入的立体沟道构造Tri-Gate晶体管（FinFET）技术。在克兰尼克之后亮相的该公司总裁雷内·詹姆斯（Renee James）表示，利用以Tri-Gate为代表的技术突破，“摩尔法则”能够继续拥有生命力。（记者：木村 雅秀，日经BP半导体调查）
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