联电 攻特殊制程

晶圆代工厂联电（2303）昨（22）日宣布以1.1亿美元（约新台币32.9亿元）在新加坡12i设立特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」，市场解读，联电与台积电在28纳米以下力拚之余，将透过特殊制程与现有大厂差异化，打造成长新契机。

联电表示，看好车用、行动、智能型手机与平板计算机等日益庞大的特殊制程市场，希望在先进制程的技术提升之外进行附加价值。

这项宣布，也是联电第一个海外研发中心的打造计划，联电近日股价在外资强力回补下一度来到一年来新高，昨天小幅回档，下跌0.2元，收盘价13.9元，成交量爆出15.87万余张，外资、投信分别买超3.4万张、2,900张，自营商卖超6,300张。

联电已陆续与意法半导体就55纳米合作背照式影像传感器（BSI CMOS），也与飞索半导体宣布就公司40纳米的LP逻辑制程，展开嵌入式电荷撷取快闪存储器技术合作。

联电近年来在12寸晶圆厂的技术投资多放在南科12A，新加坡因为投资成本较高，仍维持65纳米以下的12寸技术，联电营运长陈文洋表示，透过这座专为先进特殊技术研发与制造基地所设计的12寸晶圆厂，促进许多特殊制程所需技术的问世，让联电充分掌握跨入新市场的契机。

联电表示，新设立的「Center of Excellence」，将与微电子研究院等新加坡本地研究机构进行研发合作，并将已开发之技术，包含背照式影像传感器（BSI CMOS）、嵌入式存储器、高压应用产品以及直通矽晶穿孔连结等。

联电Fab 12i厂是公司唯一位于台湾以外的12寸晶圆厂，现有月产能为近4.5万片，占联电12寸晶圆总产出的45%。为了强化特殊技术的研发，联电今年内将于Fab 12i厂增加逾80名工程师。联电Fab 12i厂累积至今的投入金额约为36亿美元，现有员工人数约为1,600名。