台积电放话 2017追上英特尔

台积电共同营运长蒋尚义昨（22）日表示，台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年，即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程。为了满足客户需求，台积电已决定加快研发脚步，「希望10纳米世代就能全面赶上英特尔」，时间点就落在2017年。

台积电董事长张忠谋在日前法说会中宣布，今年资本支出拉高至95~100亿美元，且16纳米FinFET制程要提前一年量产。主掌台积电技术研发的蒋尚义昨天则说明，加快16纳米量产，是因为客户对此有强烈需求。

蒋尚义表示，台积电明年开始进入20纳米单芯片（SoC）制程量产，16纳米FinFET制程理论上应该是20纳米量产的2年后才会导入，不过，这只是特例而非常态，主要是英特尔已成为台积电的间接竞争对手。

蒋尚义表示，过去英特尔要生产处理器，所以半导体制程一直是最先进的，但现在英特尔抢进行动装置市场，台积电很多客户都开始要跟英特尔竞争，也因此，客户要台积电加快研发速度，台积电当然从善如流，加快制程的微缩时程，才不会让客户失去竞争力。

根据台积电目前规划，2014年开始导入20纳米SoC制程量产，2015年导入16纳米FinFET制程量产，但后续的10纳米量产时间，仍将在16纳米量产之后2年才会导入，也就是2017年台积电将进入10纳米世代，且可望首度采用先进的极紫外光（EUV）微影技术。

蒋尚义表示，为了满足客户对先进制程的需求，台积电已集结了开放创新平台（OIP）中的各供应商，投入庞大资源加速制程推进速度，「希望10纳米世代就能全面赶上英特尔」。

英特尔的制程推进仍依循摩尔定律，2014年14纳米将进入量产阶段，2016年后则导入10纳米量产，由此来看，若台积电能在2015年以10纳米量产投片，的确已追赶上英特尔。

台积电及英特尔均参加了微影设备大厂艾司摩尔（ASML）的「客户联合投资专案」，共同开发EUV微影技术，近期研发上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小时可处理43片晶圆，10纳米世代可望开始导入EUV技术。