联电与星科金朋共同发表矽穿孔3D IC技术

联电 (UMC)与新加坡半导体封测厂商星科金朋 (STATS ChipPAC)共同发表号称全球第一件在开放式供应链环境下合作开发的内嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技术。两家公司所展示的3D晶片堆叠，由Wide I/O记忆体测试晶片和内嵌TSV的28奈米微处理器测试晶片所构成，并且达成封装层级可靠度评估重要的里程碑。
此次的成功证明了透过联电与星科金朋的合作，在技术和服务上结合晶圆专工与封测供应链，将可以顺利实现高可靠度3D IC制造的全面解决方案。联电与星科金朋经验证的3D IC开放式供应链，为业界供应链间的合作，建立了实现共赢的重要范例与标准。在此一合作开发计画中，联电所提供的前段晶圆制程，包含晶圆专工等级细间距、高密度TSV制程，可顺畅地与联电28奈米Poly SiON制程相整合。
此专案获取的know-how也将运用于联电28奈米Hign-K/metal gate制程。而中段与后段制程部分，则由星科金朋执行晶圆薄化、晶圆背面整合、细微线距铜柱凸块，与高精密度晶片对晶片3D堆叠等。