台积Q4试产20nm SoC；明年推16nm FinFET制程

ARM今(23)日举办年度技术研讨会，台积电 (2330)技术长孙元成(见附图)获邀出席，分享台积电于先进制程的布局。孙元成指出，台积电的20 奈米 SoC解决方案预计今年Q4即可试产(risk production)，而相隔一年后、明年11月则预计推出16奈米FinFET制程(技术水准相当于竞争者的14奈米)的试产，相对于20奈米制程将能更节省功耗、效能也更高。至于再下一个世代的10奈米FinFET制程，台积电则预计于2015年底推出。
关于20奈米SoC的功耗与效能表现，孙元成表示，20奈米SoC解决方案若相较于28奈米HKMG(高介电常数金属闸极)制程，可增加约25%的效能，并减少30%的耗能，跨入16奈米制程后，则是FinFET架构的天下，而ARM也和台积电携手合作，台积电将使用ARM的首款64 位元处理器v8来测试16奈米FinFET制程，并可望在明年11月推出首款测试晶片。
孙元成指出，台积电研发FinFET架构超过10年，由于FinFET架构的闸极包覆奈米线通道的角度相当完整，因此具备节省功耗的优点，很适合应用于行动装置，可说从智慧型手机、平板到工业用途都罩得住。而明年底16奈米FinFET制程也就可以验证完毕，目前则已经送样，此部分布局可说已经就绪。
关于业界讨论热烈的摩尔定律是否有所局限，对此孙元成观察，摩尔定律还有长路可走，虽然极紫外光微影制程(EUV)发展速度稍有延迟，但他认为只要EUV技术可以做到成熟，接下来一直到5奈米制程都可以持续趋近遵循摩尔定律；而除摩尔定律外，台积电也正在研发3D晶片堆叠技术，可望为先进制程开拓更多可能性。