联电40纳米年底占比15%，Q4续处分业外转投资

联电(2303)执行长孙世伟表示，40纳米制程于今年底到达15%营收的内部目标可望提前完成。先进制程的28纳米进度符合预期。此外，第四季将持续处分业外持股以缓和认列日本子公司损失对损益的影响。
联电公司指出，40纳米制程芯片需求畅旺，营收贡献从第二季9%成长至第三季的13%，年底到达15%营收的内部目标可望提前完成。
为提供客户在蓬勃发展的触控芯片领域最具竞争力的解决方案，联电日前宣布推出创新的embedded Flash特殊制程技术平台，已为数家触控领导厂商采用并量产，联电乐观预期这些特殊制程技术将为联电的成长注入动能。

针对28纳米制程，孙世伟表示，28纳米进度符合预期，其中依照联电28纳米设计套件(design-in)的产品良率持续提升中，首波28纳米porting产品良率的提升经过几个月元件及制程参数之调整，已获得显著的进展。联电也在第三季成功tape-out使用28纳米high-k and metal-gate(gate-last)制程的移动通信产品，并陆续与包含28纳米移动通信、运算，有线、无线网络，数码电视，资料储存控制器以及可程序逻辑等应用的客户密切合作。同时，在IBM FinFET技术授权的基础上，联电决定积极投入14纳米FinFET(+20nm metal)制程技术的开发。
此外，联电第三季认列日本子公司UMCJ清算损失约10.5亿元，预计未来1-2季还会持续认列损失，惟预估金额将会减少。另一方面，联电第三季大举处分业外投资，包括处分联咏(3034)、原相(3227)等持股，挹注联电第三季业外仍小赚8300万元，降低清算UMCJ的冲击。联电第四季拟持续处分手上转投资持股，来缓和认列UMCJ损失对当期损益的影响。