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[导读]联华电子(UMC,以下简称联电)宣布,已顺利验证晶圆代工业界首个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。此制程可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压,以及存放演算法所需的eFlash,结合于同一颗高整合度

联华电子(UMC,以下简称联电)宣布,已顺利验证晶圆代工业界首个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。此制程可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压,以及存放演算法所需的eFlash,结合于同一颗高整合度的单晶片中,并且有效地改善信噪比(SNR)。

与业界所提供的其他高压选项(例如18V、24V或32V)相比,此12V解决方案在信噪比与耗电之间,提供了绝佳的平衡。联电特殊技术开发处处长陈立哲表示:「联华电子建构了完整的技术平台,该平台包含了尖端技术与客户导向的特殊技术,并能充分满足客户广泛应用产品的需求。作为第一家推出整合eFlash制程的12V至铝制程A+平台之晶圆专工公司,让我们有能力掌握中大尺寸触控面板快速成长的市场契机。我们将与客户携手合作,协助其充分利用联华电子技术所带来的优势。」

联电现有0.18微米与0.11微米eFlash 产品的成功经验,为此新的12V eFlash 平台的顺利推出,打下了稳固的基础,并可借此协助客户在蓬勃发展的触控晶片市场中,加速产品上市时程,同时差异化其产品定位。联电现已大量出货eFlash晶圆,数家晶片设计公司也已经在其触控萤幕产品上,采用并且验证了联电的12V eFlash解决方案。联电12V eFlash技术目前已于0.11微米与0.18微米制程上提供给客户使用。



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