追英特尔！格罗方德：14nm-XM制程2014年量产

GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)今(28日)召开记者会，说明其于14 nm-XM制程技术的最新进展。格罗方德全球行销暨业务执行副总裁Michael Noonen(见左图)指出，格罗方德的14 nm-XM技术将在2013年底有第1个客户的tape-out，至于具体的量产时间点将落在2014年中。
Noonen强调，所谓的14 nm-XM技术，是以格罗方德研发10年HKMG(高介电金属闸极)制程的经验为基础，将14 nm的FinFET元件和格罗方德即将量产的20 nm-LPM技术做结合，特别适用于行动装置高效能、低耗电的要求(XM即eXtreme Mobility的缩写)。而虽许多客户视20 奈米制程为28/32奈米制程下一世代的合理选择，不过，也有客户认为14奈米是最符合公司生产成本经济效益的方案，而偏向直接导入格罗方德最新的14 nm-XM制程。
他也指出，格罗方德是目前晶圆厂中，唯一能提供客户从28奈米制程直接转换到14奈米制程的厂商(意谓中间可跳过20奈米制程)，然后可以直接和英特尔的14奈米制程直接竞争。而往年制程的节点转换(比方从45/40奈米到28奈米、从28奈米到20奈米)，每一世代约莫需要2年时间，但格罗方德本着和IBM等客户协同合作的成果，也在14奈米的进展取得突破。Noonen表示，格罗方德20奈米量产的时间点，将落在2013年，不过14 nm-XM制程，则是在2014年就能接棒量产。
此外，关于格罗方德于先进制程的规划，Noonen则表示，目前28奈米制程(包括PolySion、HPP等制程)加上32奈米的产能建置，生产基地主要是在德国的Fab 1，以及位于纽约萨拉托加郡、新建成的Fab 8。而未来14 nm-XM制程，预订也会在Fab 8生产。而他也强调，Fab 8预计最高可以生产到10奈米的高阶制程。
Noonen指出，今年格罗方德的资本支出约在35亿美元以上。而三星今年的资本支出约为130亿美元、台积电 (2330)则为85亿美元。