格罗方德抢市 优化电晶体架构

半导体晶圆代工大厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)推出14nm-XM技术，可提供 3D「鳍式场效记忆体」(FinFET)电晶体的效能及能源优势，是专为成长快速的行动市场所设计。

格罗方德透过资料发布表市，新的14nm-XM技术不仅可降低风险，更能加快上市时间，帮助无晶圆厂生态体系维持行动市场的领导地位，也有助开发出新一代的智慧行动装置。

格罗方德解释，XM 是「eXtreme Mobility」的缩写，是业界最顶尖的非平面式架构，可真正为行动系统单晶片 (SoC) 设计做优化，提供从电晶体到系统层级的完整产品解决方案。

格罗方德说，在当前 20nm技术节点，相较于目前的 2D 平面式电晶体，14nm-XM技术预计可望提升40%到60%的电池使用寿命。

格罗方德表示，14nm-XM采用模组化的技术架构，完美结合了14nm的FinFET 元件与 GLOBALFOUNDRIES 公司即将量产的20nm-LPM 制程技术。运用成熟的 20nm-LPM 技术，让想利用 FinFET 系统单晶片优势的客户，能以最快的速度顺利转移。技术研发工作已展开，矽晶片也已透过 GLOBALFOUNDRIES 位于纽约萨拉托加郡的晶圆 8 厂进行测试。初期制程设计套件 (PDKs)现已开始提供，并预计将于 2013 年可提供客户产品投片。