台积电、安谋 20nm以下再续前缘

台积电与英商安谋（ARM）昨（23）日共同宣布一项为期多年的合作协议，将双方的合作延续至20纳米制程以下，藉由台积电16纳米3D架构的鳍式场效晶体管（FinFET）制程提供ARM的处理器技术，让芯片设计商在应用处理器领域也能扩展其市场领先优势。

台积电及ARM的合作协议，将为ARMv8架构下的新一世代64位元ARM 处理器、ARM Artisan实体矽智财等，与台积电的FinFET制程技术进行最佳化结合，以应用于要求高性能与节能兼具的行动及企业市场。

这次的合作涵盖了两家公司的技术信息共享与回馈，协助提升ARM矽智财与台积电制程技术的开发。

ARM将藉助制程信息，打造兼顾效能、功率与面积（Power, Performance and Area，PPA）的最佳化完整解决方案，以降低风险并促使客户及早采用。

透过台积电FinFET技术与ARMv8架构的集成，芯片设计产业可以取得能跨市场类别且持续创新的解决方案。这项合作将可改善矽制程、实体IP和处理器技术，共同促成崭新的系统单芯片创新，并缩短产品上市时程。

这次的合作最特别之处，在于ARM将藉由一项全新的节能64位元执行状态，满足高阶行动、企业和服务器应用程序的性能需求。因为企业运算与网络基础架构，是行动与云端运算市场的根基，而为了实现企业运算与网络基础架构，64位元存储器定址和高阶性能是必备的条件。

台积电预计在16纳米制程开始提供FinFET制程，预计2015年开始投入生产，FinFET制程可显著地改善速度与功率，并且降低漏电流，这些优势克服了先进SoC技术进一步微缩时所遭遇的关键障碍。