IBM授权联电业界第二家使用3D晶体管工艺

据国外媒体报道，台湾芯片代工大厂联电（UMC）上周末与IBM签署了一项协议，前者将在后者帮助下研发并推出20nm CMOS制程工艺，并引入FinFET即3D晶体管技术。

联电官方表态称，IBM将其20nm制程工艺整套设计和FinFET技术授权给该公司有助于进一步增强对代工客户的吸引力。

目前联电尚未加入IBM、GlobalFoundries和三星组成的Common Process Platform，联电发言人称此次达成的协议只涉及20nm工艺/FinFET技术并拒绝透露授权金额。

实际上IBM此举颇有利用联电试水的想法，20nm工艺/FinFET将以联电制造而非IBM自己制造的形式出现。但分析人士认为该协议实际上也是一个双赢的成果，毕竟联电最大的对手包括台积电、GF和三星此前纷纷表态不会在14nm节点前引入FinFET/3-D晶体管，目前类似技术只有Intel在Ivy Bridge处理器中使用。引入IBM技术同时还有助于减少研发周期需要的时间。