联电、新加坡微电子研究院携手开发TSV技术

联电(2303)与新加坡微电子研究院携手开发TSV技术，将应用于行动电子产品背面照度式影像传感器，有助联电扩充CMOS影像传感器市场。
联电与新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research, A*Star)旗下之微电子研究院(Institute of Microelectronics, IME)于昨日(5日)共同宣布，双方已协议合作进行应用于背面照度式CMOS影像传感器之TSV技术开发。举凡智能手机，数码相机与个人平板计算机等行动电子产品，所采用之数百万像素影像传感器，都将可藉由此项技术大幅提升产品效能，降低成本并且减少体积。

联电公司表示，此项合作专案将利用IME 在12寸TSV生产线之晶圆薄化、接合、重布与凸块的尖端实力，开发与CMOS影像传感器元件相结合的TSV制程。市场上对于持续缩小像素，又能兼顾效能的需求日益攀升，因而带动了CMOS影像感测技术的兴起，背面照度式技术则普遍被视为可让微缩至微米级大小的像素，仍保有优异效能的技术解决方案。此次专案目标在于提高像素更微缩的影像传感器之灵敏度，以便支持更高效能的应用产品，包括新世代高分辨率的数码单反像机与数码摄像机。
联电资深副总颜博文表示，联电拓展与IME在背面照度式技术上应用TSV技术的合作关系。IME在TSV集成上的专精实力，可与联电在标准28纳米CMOS制程via-middle与via-last TSV 技术之研发成果相辅相成，并将大力协助联电扩充CMOS影像传感器的市场，同时巩固技术领导者地位。