SII纳米科技开发出支持16nm工艺的掩模修正技术产品将于2012

日本精工电子的全资子公司，从事测量分析设备业务的SII纳米科技（SII NanoTechnology），开发出了可支持16nm工艺半导体制造的掩模修正技术。技术详情将在2012年4月17～19日于太平洋横滨会展中心举行的“Photomask Japan 2012”上发布。采用此新技术的掩膜修正设备预定2012年9月投产。

SII纳米科技多年来一直提供采用FIB（聚焦离子束）来修正掩模缺陷的设备，而90nm工艺以后的主流是采用EB（电子束）的掩模修正技术，因此该公司的市场份额出现下滑。但是，SII纳米科技认为22nm工艺以后在半色调掩模中采用新型MoSi膜“A6L2”的可能性较高，难以通过EB修正掩模缺陷。

SII纳米科技通过对原来的FIB技术进行改进，开发出了可修正A6L2膜的技术。具体来说，就是采用了“气态场发射离子源（Gas Field Ion Source：GFIS）”。与原来采用液体Ga的离子源相比，GFIS除了可以减小射束直径外，通过选择适当的气体种类，还可以有效地对A6L2膜进行蚀刻。采用GFIS的最小修正尺寸为10nm，降至原来采用液体Ga的FIB设备的1/6 ，从而可以有效修正16nm工艺的掩模。

此次的技术原本是作为EUV掩模缺陷修正技术而开发的，但除了EUV掩模外，还可以修正纳米压印模板的缺陷。
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新开发的气态场发射离子源（GFIS）

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可修正EUV掩模的缺陷