联华电子稳扎稳打提前推出28纳米芯片(组图)

联华电子将会提前推出采用28纳米工艺制造的芯片。分析机构相信联华电子将能够在第二季度或者第三季度采用UMC 28LPT技术为德州仪器生产OMAP5系统级芯片(SoC)。芯片代工厂联华期待28纳米生产工艺能够为2012财年带来5%左右的利润。

联电CEO孙世伟于本周举行的第四季财务电话会议中说："由于现阶段28纳米技术与客户进展顺利以及需求强烈，我们相信联华电子一定会随着28纳米生产工艺的量产而获得丰厚的收益。[...]我们2012财年的目标是：28纳米芯片的利润能够占到公司总利润额的5%。"


来自 Nomura Equities Research市场调研机构的观察家认为，联电能够在2012年第二到第三季度间为德州仪器生产少量的TI OMAP5 芯片。这要比他们预期早2到3个季度。（据EETimes报道，有预测联电至少要在2012年末才能生产28纳米工艺芯片。）

值得注意的是，联电对于使用28纳米生产工艺采取了保守的方法。新生产工艺中有三分之二产品会使用传统的多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层（Poly/SiON ）的栅极结构。剩下的三分之一才会采用先进的金属栅极+高介电 常数绝缘层（High-k）栅结构（HKMG）（将使用后栅极技术。）。整体而言，联华的28纳米工艺主要是针对应用芯片、手机基带、WLAN、平板、FPGA以及网络芯片。



联华电子认为公司采用保守的策略（28LPT 和28HLP）能够使其为现客户提供一种简易从40纳米65纳米工艺过渡方案。而采用28纳米HKMG技术则可以让客户在成本不大幅度提高成本的情况下果断的采用新的制程从而提高未来产品的性能。联电预计28纳米工艺的生命周期不会太短。