◆代工厂跨域合作布局3D IC

(中央社记者张建中新竹2011年12月18日电)3D IC发展趋势成形，国内外半导体厂纷纷展开跨领域合作布局。国内2大晶圆代工厂台积电(2330)及联电(2303)同时与国外动态随机存取记忆体(DRAM)厂结盟合作。

3D IC技术难度高，台积电研发资深副总经理蒋尚义曾预期，逻辑IC的3D封装因颗粒小，且有散热等相关问题，5年内将不会发生。

尽管短期内3D IC技术难以成熟，达到量产阶段，国内外半导体厂仍积极展开布局，以免错失未来3D IC市场商机。

除全球晶片龙头英特尔(Intel)与工研院合作3D IC架构且具低功耗特性的记忆体技术外，美国技术授权厂商Rambus也与工研院合作开发3D封装技术。

联电更于2010年便与记忆体封测厂力成(6239)及日本记忆体大厂尔必达(Elpida)展开跨领域策略技术合作，针对28奈米制程，进行3D IC整合开发。

联电、力成及尔必达等3方合作，初期将投入堆叠逻辑及DRAM的产品开发，未来将进一步投入整合射频、快闪记忆体及DRAM等更先进产品开发。

面对媒体询问英特尔与工研院的合作，台积电董事长暨总执行长张忠谋也不甘示弱的表示，台积电已与国外有技术且规模大的DRAM厂合作达2年。

台积电目前已可提供客户以矽取代PC板的2.5D产品技术样品，预计2013年可小量生产，2014年放量。

从联电及台积电纷纷与DRAM厂就3D IC展开合作来看，显见DRAM是未来3D IC产品重要的关键技术之一，也难怪力晶科技(5346)坚持不愿完全退出DRAM市场。

力晶科技董事长黄崇仁虽公开向外界强调，力晶已不再是标准DRAM厂，而是代工、多元化记忆体技术厂；不过，黄崇仁表示，DRAM是未来3D IC产品不可或缺的技术，力晶仍将继续生产DRAM产品。

利基型记忆体厂钰创科技(5351)董事长卢超群也看好记忆体未来发展前景，他预期，5年后记忆体产品市场占整体半导体业比重，将逾3成。

卢超群同时对国内DRAM产业提出建言，业者在面对当前产业景气寒冬时，可缩小规模，专注客户需求的产品市场，毕竟没被「歼灭」，未来就还有机会。3D IC能否为未来国内DRAM厂带来转机，值得观察。