TSMC确认将扩大旗下Gigafab工厂20nm产能

台湾TSMC公司宣布，该公司目前已经开始了旗下Fab 15（Gigafab）工厂的phase 3厂房建设，新厂房将会被用于20nm以及更先进的生产工艺。
TSMC于2010年7月开始了Fab 15, phase 1的建设，并于2011年年中完成了设备的安装，计划于2012年年初投入生产。与此同时，Fab 15, phase 2于2011年年中开始建设，计划于明年投入生产。Fab 15/1和Fab 15/2预计将会每年带来约30亿美元的产值，而phase 3在不久的未来也将会达到相似的规模。
TSMC公司主席Morris Chang表示：“基于台湾的强大基础，TSMC将继续强化三位一体的优势：技术领先，产品优秀以及客户信任。我们计划成为世界范围内所有客户最值得依赖的伙伴，帮助他们形成半导体产业强大的竞争力。另外就是我们希望我们的领先地位可以让台湾成为全球半导体业的关键。TSMC将会继续成为世界级的公司。Fab 15, phase 3在我们的发展计划中扮演着重要的角色，而这也再一次展示了TSMC让顾客满意的能力。”

TSMC决定通过Fab 15使用28nm工艺，当全面投产后，Fab 15的产能将会超过10万张300mm晶元/月。厂房的建设将会分四个阶段进行，其总投资将会达到93.22亿美元。
Fab 15/3将会成为TSMC第二家用于20nm工艺的工厂，并成为TSMC继Fab 12和Fab 14之后的第三家“green fab”。Fab 15/3在建设中将会采用大量防污染措施以及节能措施，包括多达25种的废水分类，其水资源重复利用率将高达90％，用水量将会降低62％，整个工厂的功耗相比将会降低5％。另外Fab 15/3将会拥有约40 000平方米的雨水收集区，收集的雨水将会用于景观用水。