联电与ARM 长期合作

晶圆代工大厂联电（2303）昨（6）日宣布与英商安谋（ARM）签订长期合作协议，联电推出的28纳米高介电金属闸极（HKMG）的高效能行动（HPM）制程技术，将集成安谋的ARM Artisan实体矽智财（Physical IP）。联电希望能够藉此争取到更多智能型手机及平板计算机等行动装置ARM架构处理器代工订单，包括大客户德仪计划于明年开始生产的28纳米OMAP 5处理器。

欧美财政问题持续影响全球经济，新兴市场通膨问题也压抑了终端需求，传统功能型手机（feature phone）及笔记本电脑等电子产品出货成长趋缓，让手机及笔记本应用芯片需求疲弱，但是智能型手机及平板计算机等行动装置采用的ARM架构处理器，却因市场才刚起飞，是今年下半年以来需求最强的处理器芯片。

联电过去接单集中在传统手机及笔记本应用芯片，因此今年下半年营运表现远不如竞争对手台积电，为了打破此一困境，联电已开始锁定行动装置应用芯片，规划出新制程及建置新产能，而联电此次与安谋的合作，就是要争取28纳米ARM架构处理器的代工订单。

联电负责客户工程与IP研发设计支持的副总经理简山杰表示，该公司与安谋合作已超过10年时间，此次由联电赞助的研发计划，使客户能在联电多样化的尖端制程上，采用最完整的ARM实体IP解决方案，进而掌握关键市场先机，达到更快速的产品上市时程。此项合作再一次彰显了联电在28纳米制程持续投资的决心。

ARM实体IP部门执行副总裁暨总经理Simon Segars表示，联电采用ARM Artisan实体IP，来支持28纳米HPM制程，双方客户将可在联电28纳米HKMG制程上，取得完整实体IP解决方案，尤其适用高效能处理器如ARM Cortex-A的设计，此合作可促进双方在制程技术与28纳米制程上实体IP协力研发，可带来效能最佳化、节能效益、提升芯片密度等优点。