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[导读]三维晶片(3D IC)的封装流程增添许多步骤,使制程成本加剧,为此,半导体制程设备供应商Alchimer除主打可省却化学性机械研磨法(CMP)及黄光微影步骤,进而降低晶片与机板间导线制造成本的湿式制程外;亦针对3D IC的关键

三维晶片(3D IC)的封装流程增添许多步骤,使制程成本加剧,为此,半导体制程设备供应商Alchimer除主打可省却化学性机械研磨法(CMP)及黄光微影步骤,进而降低晶片与机板间导线制造成本的湿式制程外;亦针对3D IC的关键矽穿孔(TSV)技术,开发出高覆盖能力的薄膜沉积(Thin Film Deposition)阻障层(Barrier)技术,大张旗鼓卡位即将成形的3D IC市场。

Alchimer执行长Steve Lerner表示,Alchimer拥有独特的半导体制程技术优势,未来亦可望与全球制程设备、材料大厂合并,持续发挥优异制程的影响力。
Alchimer执行长Steve Lerner表示,为实现3D IC架构须将晶圆磨得更薄,还要在晶圆上执行矽穿孔,以进行晶片间的导线互连。因此,晶片制程大翻新后,除带来全新技术挑战,设备与制程成本亦将攀升,而Alchimer的AquiVantage湿式制程技术,可优化矽穿孔制程后钻孔(Via Last)方案在中介层(Interposer)、重布线层(RDL)上的导线薄膜层,提升晶圆背面导线的品质;同时也简化整体流程,省下成本最高昂的两道黄光微影制程,对于3D IC封装流程带来结构上的革新,进一步降低中介层高达50%的制造成本。

半导体湿式制程不仅可产出高品质薄膜,还可容许使用更厚的晶圆,而无需昂贵的晶圆载具(Wafer Carriers),对于化学溶液蚀刻所形成的扇形侧壁表面(Scalloped Via)也能提供高度均匀覆盖的薄膜,全面强化客户的成本优势。Lerner强调,AquiVantage系专为Via Last封装制程打造,将为晶圆代工厂、封测厂(OSAT)与整合元件制造商(IDM)跨进3D IC领域带来低成本及制程精简的效益。

另一方面,Alchimer也透过改进薄膜沉积技术,让矽穿孔生产更具成本效益。阻障层系矽穿孔薄膜堆叠中最底层的元素之一,而Alchimer的AquiVia阻障层制程可对复杂的矽晶圆平面提供100%阶梯覆盖率,甚至是高深宽比的扇形侧壁表面,进一步突破阻障层在晶种层和填充沉积过程中,一系列与覆盖相关的性能和可靠性问题,使后续沉积时间大幅缩短,成本亦能下探。

Lerner不讳言,传统真空沉积制程一直无法导入高品质的阻障层,尤其是较深、直径较小、深宽比为10:1及以上的填孔,而目前业界正亟须从这些桎梏中突围,以全面实现3D IC整合的经济优势。有鉴于此,AquiVia和AquiVantage湿式制程集晶圆保形性、阶梯覆盖率和纯度于一体,为物理气相沈积(PVD)、化学气相沈积(CVD)或其他干式制程所不能比拟,比照标准的干式制程可降低约40~50%的成本,将是未来3D IC的关键推手。

针对半导体湿式与干式制程的比较,Lerner进一步分析,湿式制程可省却传统干式制程的CMP、PVD及CVD等步骤。另对于晶片背面薄膜制程亦可选用绝缘层薄膜,而无需传统黄光微影曝光、显影、蚀刻与清净的繁琐流程,可为制程成本与营运利润严密把关。此外,湿式制程除简化整个晶圆产出流程外,更可摒除干式制程所用设备支出及相关操作成本如真空无尘室空间、电力等,具备显著经济效益,不仅是切入3D IC封装领域的绝佳考量,也是实现半导体绿色制程的关键拼图。

Lerner认为,3D IC可催生更轻薄且兼具高效能的产品,已成为下一代行动装置瞩目焦点;况且,在20、14奈米先进制程进展不明的情况下,3D IC亦是往下延续摩尔定律(Moore’s Law)的关键一着,故全球半导体业者一窝蜂投入后,市场前景随之看俏。不过,考量到每片12寸晶圆加入矽穿孔制程后仅能增加100美元的成本,才能趋近符合终端产品采用的目标值,但现在3D IC供应链尚未完备,导致产出价格高于市场预期数倍。因此,预估未来两年间供应链慢慢成形后,相对传统干式制程而言,大幅简化流程的湿式制程将更容易达标。

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