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[导读]格罗方德半导体(GlobalFoundries)与三星电子(Samsung)宣布扩展合作关系,双方在全球的制造厂,都将采用新的高效能与低漏电28奈米高介电金属闸极(HKMG)技术进行生产。这种技术是特别为行动装置应用所开发的,在相同的

格罗方德半导体(GlobalFoundries)与三星电子(Samsung)宣布扩展合作关系,双方在全球的制造厂,都将采用新的高效能与低漏电28奈米高介电金属闸极(HKMG)技术进行生产。这种技术是特别为行动装置应用所开发的,在相同的频率减省60 %的有效电力 (active power reduction) ,或是在45奈米低耗系统单晶片(SoC)设计上同样漏电情况下提升55% 的功效。
2010年,格罗方德半导体与三星宣布了与IBM以及意法半导体(STMicroelectronics) 合作,使用低耗能 28奈米 HKMG 技术将晶圆厂作业同步化。这种低耗能技术完全符合标准元件库 (standard cell libraries)、记忆体编译器( memory compilers)、与额外的复杂IP区块的设计需求。今天所宣布的高效能与上述的低耗能技术互补,延伸高效能智慧型手机、平板电脑、与一般笔电的作业频率,并保留超低漏电电晶体与记忆体以促成在外行动时所需的长电池寿命。

这两家公司正藉由与若干顾客合作,为这种低耗能与高功效28奈米HKMG 技术进行制程与工具(tooling)的最佳化,俾能提供同步平台的协同价值。这项同步程序有助于确保全世界生产的一致性、让顾客的晶片于多重的源头生产而不须重新设计、以及利用顾客的设计投资。

就同步的本质而言,协同作业提供了一个虚拟晶圆厂来取得这两家公司四处不同晶圆厂的制造能力。这两家公司各有两个将符合新技术的300mm晶圆厂:格罗方德半导体的 Fab 1在德国的德勒斯登(Dresden)以及 Fab 8在美国纽约州的萨拉托加郡(Saratoga County),而三星的 S1 在韩国京畿道器兴(Giheung),以及最近在美国德州奥斯汀(Austin)扩厂的 S2。这四个晶圆厂所代表的全球版图估计是晶圆代工业中尖端产能最大的,并藉由密切的协同与消除供应炼不确定性风险的无与伦比能力来为顾客服务。

三星电子装置解决方案(Device Solutions)的 System LSI 晶圆代工行销副总裁Jay Min 说:「我们很高兴能藉由这项独特的合作,把智慧型、创新的晶圆代工 解决方案提供给我们的顾客。这个 28奈米制程将是能够真正消除桌上型电脑与行动装置之间界线的首项半导体技术。」

格罗方德半导体的全球业务与行销资深副总裁Jim Kupec说:「这项新的合作将使业界最强劲的制造合资企业之一更为强劲,并提供另一个平台给顾客来推动行动通讯技术的创新。使这项新技术的顾客能更快速的开始量产并确保供给无虞,而且能够利用到晶圆代工业于2011年上半年首度以32奈米 HKMG 技术开始大量生产的重大成果。」

这种新的高效能制程的基础是来自于2010年所宣布的供低耗能制程所使用的 28奈闸极优先(Gate First) HKMG技术。由于当今的低耗能 28奈米技术完全符合设计的需求,所以有一种完备的系统单晶片 (SoC) 设计平台将被导入这种高功效技术来促成全球多个制造厂流畅的客制化设计(customer design-in)。

三星晶圆代工厂

三星电子的晶圆代工业务旨在支援无晶圆厂的半导体公司以及整合元件(IDM) 半导体公司, 其所提供全面的服务解决方案包括设计套件、获验证的IP、乃至于完整的统包制造(turnkey manufacturing),并以该厂先进的积体电路设计以及特殊应用积体电路(ASIC)与客户自有工具(COT)业务获得市场上的成功。该厂目前进行45 奈米的大量生产也具有32/28奈米的资格,且在准备下一代的20奈米以及更先进的制程,而所利用的是该厂对于先进制程与设计技术的深入专精、长期以来大量生产的优良纪录、以及持续的参与国际半导体发展联盟 (ISDA)。详情请参阅 www.samsung.com/Foundry。



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