联电推新芯片 本季订单吃补

联电（2303）与赛普拉斯（Cypress）昨（27）宣布，双方已采用65纳米SONOS（矽-氧-氮化矽-氧-矽）快闪存储器技术，产出有效矽芯片，联电将采用这套新制程，为赛普拉斯代工次世代的可编程系统单芯片（PSoC）等产品。

联电并获得赛普拉斯授权将此技术授权给其它公司使用，联电预定第三季对外接单，为联电营收带来贡献。

联电表示，此一全新的S65制程，系采用65纳米SONOS嵌入式非挥发性存储器技术，并与联电标准LL65制程整合。凡是采用LL65制程的芯片设计，不论是现有或新的设计，都可加入嵌入式快闪存储器，享有快速产品上市时间，低开发成本，且不会干扰其它矽智财设计。

联电强调，S65制程优势包含高耐力，低功耗，及抵抗存储器因宇宙射线而发生软错误的错误率。相较于其它技术需要外加七到12层光罩，此技术仅需要在标准CMOS制程外，额外加上三层光罩即可，可降低成本，并提升产品良率和降低测试成本。

联电资深副总颜博文表示，嵌入式非挥发性存储器技术已成为许多芯片设计的主要特性。