2011年Q1全球晶圆厂产能利用率93.7%

这一次SIA的晶圆制造产能统计报告公布时间比平常晚了很多，通常第一季报告会在5月中或是5月底出炉；SIA并没有解释报告公布延迟的原因，但值得注意的是，SIA数据表格中很多前一季的数字都有更动。这意味着该报告可能在 2011年第一季与 2010年第四季的数据比较上出现问题，得做一些确认与更正。

2010年第四季的统计数据变动最多的，是在MOS制程技术中介于200奈米至120奈米节点之间的项目(主要是0.18微米、0.15微米与0.13微米制程)；此外还有晶圆代工厂的相关数据。

根据SICAS报告，全球 2011年第一季晶圆厂产能利用率为93.7%，上一季数据则为92.9%，但新旧制程节点，以及8寸、12寸晶圆厂的产能利用率状况大相迳庭。0.13微米以上制程的产能利用率在80~90%之间；其中尖端的65奈米制程节点产能利用率则较上一季的97%，微幅滑落到95.8%。

60奈米以下制程节点产能达到每周9,875K片初始晶圆，较一年前同期成长了38.9%；整体初始晶圆产能在第一季成长了41%，产能利用率为98.9%。至于第一季整体8寸晶圆产能利用率为89.6%， 12寸晶圆产能利用率则为97%。

第一季晶圆代工厂产能在整体半导体制造产能中，占据19.6%的比例，产能稳定成长为每周441.9k片晶圆，较去年同期成长15%；整体晶圆代工厂产能利用率为97.0%。

编译：Judith Cheng

(参考原文： SIA releases Q1 SICAS fab capacity report，by Peter Clarke)