SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要SOI晶圆供应商表示，他们已经为超薄衬底的SOI晶圆的规模化生产做好了准备。这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米，而且均匀性控制在艾米量级SOI晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。
SOI晶圆供应联盟的一位官员称，SOI晶圆最终的生产成本和体硅晶圆相比还要低6%，这和英特尔资深研究人员Mark Bohr的评论相左。Mark Bohr在5月份英特尔推出22纳米3-D 三栅极晶体管技术时表示，超薄衬底的SOI晶圆非常昂贵而且很难找到货源。Mark Bohr称，如果英特尔采用超薄衬底的SOI晶圆来实现3-D 三栅极晶体管，其晶圆的成本将增加10%。
目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圆制造下一代集成电路的主要推手。