力成/尔必达/联电携手卡位3D晶片技术

力成(6239)、尔必达(916665)与联电(2303)宣布三方将携手合作，针对28奈米及以下制程，提升3D IC的整合技术。力成对于3D IC布局动作快速，已规划成立新竹厂，并将于第三季进入试产阶段，希望可以成为市场技术的领导厂商。
IC封测大厂日月光(2311)、矽品(2325)对于3D IC封装技术的投入都相当积极，并均有数年之久，但碍于3D IC技术尚未成熟，加上制作难度、成本均高，因此距离大量生产的阶段仍有一段路途。随着半导体产业所追求的摩尔定律即将走向极限，3D IC逐渐受到重视，力成、尔必达以及联电的携手，结合了封装、晶圆代工、记忆体制造等技术，将可望成为市场领头羊。
力成表示，透过这项合作将能促进完整解决方案的开发，其中包括逻辑+DRAM介面设计、TSV结构、晶圆薄化、测试与晶片堆叠组装。这项技术预期能增加成本上的竞争力，改善逻辑良率效应，并且加速进入3D IC市场的时间。
力成也强调，为了布局3D IC，筹设的新竹厂已经建设完成，且机器设备也陆续到位，预计第三季就会开始进入试产，预计将投入WLP、C2 Bumping、TSV-MEOL,BEOL、Si-interposer等封装技术，这也将是力成于2012年之后的主要竞争利基。