巨人的步伐：Intel 2017年迈向7nm工艺

今天，Intel研究院主持的第九届“Research at Intel”(R@I)科研成果展示活动开幕。Intel首席技术官Justin Rattner亲临会场，介绍了35项正在进行、有望改变未来科技面貌的创新科研项目。

不过最让我们感兴趣的还是Intel技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry介绍的半导体工艺路线图。

按照这份路线图，Intel的半导体工艺将继续严格执行Tick-Tock策略，每两年升级一次。目前正在开发的是22nm工艺，预计下半年量产、明年上半年发布。接下来，2013年就会转入14nm，2015年继续进步到10nm。

再往后到了2017年的时候，Intel将为我们带来7nm，这也是半导体工艺第一次进入个位数时代。至于2019年到底采用何种工艺，Intel仍在研究之中。



为了保证这种稳定而快速的前进脚步，Intel时刻都在关注和选择最新的半导体制造技术，未来几年的主要研究对象有3-D三栅极晶体管、III-V族复合物、光学互连、计算光刻、高K锗、原材料合成、高密度内存、纳米线等等。


半导体制造技术的研究方向


目前的关注重点


互连方面亟待革新


多重选择

十几年下来，Intel工艺的每次升级都能带来30-40％的进步幅度，强大的研发实力令人羡慕，摩尔定律的神话也一直被延续下来。也许正如Intel说的那样：“摩尔定律并不是自然规律，而是一种持续创新的期望。”




(本文来源：驱动之家MyDrivers )