东芝佐佐木社长：2013年80％以上的300mm晶圆SoC将外包生产

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东芝代表执行董事社长佐佐木则夫在2011年5月24日举行的“2011财年经营方针说明会”上介绍了该公司的半导体业务经营战略。佐佐木表示，对于NAND闪存，将强化产品力度和加快新一代产品的开发。再次强调了通过微细化技术领先竞争企业的方针。2011年4月开始样品供货的19nm产品，将从7月起量产。对于NAND闪存，“包括BiCS和下下一代三维存储器在内均已纳入产品化射程”（佐佐木）。

佐佐木社长还对即将到来的NAND闪存微细化极限发表了看法。“NAND闪存的微细化终将遇到极限。我们在世界上最先成功开发出了被称为1Xnm的19nm产品。其后微细化到1Ynm、1Znm水平的产品也已有实现的可能。但再往以后的情况则不明确。因此，我们已经做好了在进入2013年之前，向BiCS和再下一代的三维存储器转移的打算”（佐佐木）。

另一方面，为了强化SSD的竞争力，东芝除了在2011年投放三种企业服务器用SSD之外，还将全力发展与HDD的一体开发和技术知识积累。关于NAND闪存新工厂“Fab 5”，“目前厂房基本已经建成，今后将从2011年7月开始量产，8月开始供货”（佐佐木）。

另一方面，关于系统LSI战略，东芝将重新构建能够应对市场行情变化的业务核心。为此将采取“开展无厂化”以及“强化基于图像传感器及模拟技术的收益基础”这两项对策。在无厂化方面，东芝计划把300mm晶圆SoC的外包比例由2011年的50％提高到2013年的80％以上。在第二项方面，例如模拟及MCU，该公司将向高收益产品集中，把产品数量减少一半。（记者：大石 基之）