ASML单价近一亿美元的EUV光刻机订单已达10台　预计2012年开始正式交货

2010年浸润式微米光刻机台设备(Immersion Scanner)大缺货，形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险，随着缺货问题解决，ASML针对20纳米工艺，推出深紫外光(EUV)机台，目前已有10台订单在手，预计2012年将正式交货；不过，对于资金拮据的DRAM厂，1台要价近1亿美元的EUV机台，将会是更大的资金挑战，目前仅瑞晶下单订购1台，藉以确保20纳米工艺的参赛权。

ASML成立于1984年，是从荷商飞利浦(Philipsa)分割出来的独立半导体设备公司，设备不断推陈出新，在1984和1989年分别推出PAS 2000和PAS 5000机台，1990年代推出PAS 5000 Stepper和Scanner，2000年推出Twinscan光刻机，2010年进入EUV机台。在ASML各地区营收比重中，亚洲市场占53%，其中南韩占16%、台湾占28%、新加坡占5%、大陆占4%，而美国市场占33%、欧洲市场占14%。

ASML指出，2006年推出第1代EUV机台，出货给比利时微电子研究中心(imec)，第2代NEX 3100机台，截至2011年第1季已出货3台，预计此款机台只会出6台，其余3台会在年底前出货，之后会推出NEX 3300机台量产型机台，其曝光速度和瞄准率均较高。

ASML进一步表示，目前NEX 3300机台全球接获订单数量已有10台，客户包括晶圆代工业者，以及台、韩、美、日等内存制造商，预计NEX 3300机台可在2012年正式交货。

ASML进一步表示，第1代EUV机台1片晶圆曝光时间要2小时，NEX 3100机台估计每小时可达曝光60片晶圆，但目前尚未达此目标，未来NEX 3300机台目标是1小时可曝光100片晶圆。

2010年DRAM产业刚从全球金融风暴中复苏，当时各厂加速转进40纳米工艺，却遇到Immersion Scanner机台设备大缺货，各厂工艺微缩进度都被关键机台卡住；再者，浸润式微米光刻机台1台要价近新台币10亿元，对当时体质虚弱的DRAM厂而言，资本障碍也形成竞争力天险。

目前浸润式微米光刻机台设备缺货问题已逐渐解除，半导体厂只有资金充裕，在固定交期下，拿到浸润式微米光刻机台都不是问题，不过要进入20纳米工艺以下的技术竞赛，必须要转进EUV机台，以1台单价近30亿元来看，对于DRAM厂而言，又是另一个艰巨的资金天险。

据了解，目前台系内存厂中，只有瑞晶已向ASML预定1台EUV机台，其他DRAM厂都按兵不动，加上如力晶、茂德等DRAM厂的营运重心都转型至晶圆代工，真正生产标准型DRAM的产能比重也降低，未来在转进20纳米工艺后，是否要购入EUV机台，可能要从财务状况评估。

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