英特尔3D芯片 年底投产

全球最大半导体制造商英特尔公司（Intel）4日发表以3D技术制造处理器的最新制程(三维晶体管)，可提高芯片效能多达37%，并降低耗电量，预定年底前投产。英特尔说，这是半导体技术逾50年来最重大的突破。英特尔计划把芯片的关键元件晶体管转变为垂直的鳍状架构，增加芯片的晶体管数量，其原理类似城市里高耸的建筑物能堆叠出更多办公空间；该公司将成为第一家量产3D架构芯片的业者。
芯片设计师迄今都藉水平缩减晶体管的电路宽度，来提高芯片的晶体管密度，挤进更多晶体管，排列有如紧邻的平房；但3D方式增加垂直面向，有助于容纳更多晶体管，提高运作效能。

英特尔说，代号「Ivy Bridge」的新微处理器是首款采用3D三闸（tri-gate）晶体管的芯片，订今年底前投产。英特尔主管也表示，首款微处理器产品将以高阶桌上型计算机和服务器系统为主要目标，可能明年初推出。

这款新芯片将率先采用22纳米制程，比现有32纳米体系更能密集堆叠晶体管。这项新技术也将提高智能手机和平板计算机的运算效能，并加速企业资料中心的运作速度，使英特尔的产品领先其它对手一代。

主导新制程发展的英特尔资深院士波尔说：「英特尔将藉这项突破进一步领先其它半导体业者，新技术的低电压和低功耗的优势远大过只是跨入新一代制程。」他说，在相同效能下，新技术的耗电量是英特尔目前制程的一半。

分析师指出，这款新芯片虽主打个人计算机，但英特尔的处理器将可藉由这项新技术的低耗电特性，打入手机和其它依赖电池供电的装置市场。VLSI研究公司半导体产业分析师哈金森就说，这项3D架构创新将强化英特尔Atom产品和与安谋公司（ARM）芯片竞争的实力。

3D芯片=三维晶体管

晶体管在集成电路中主要是作为一种可变开关，依据输入的电压，控制电流，因此晶体管可做为电流的开关；传统是机械开关，晶体管的开关速度可以非常快。

依据摩尔定律，每隔18个月，同样面积的晶体管密度就增加一倍，意谓晶体管会愈缩愈小，缩到最后会碰到极限。

摩尔定律这样的立论基础，通常是二维（2D）晶体管的架构，也就是晶体管的增加，是往平面的方向发展。

工程师为在晶圆上挤入更多的晶体管，突破现有二维的架构，将电路往垂直方向延伸，也就是把晶体管堆迭起来，英特尔、台积电、IBM、三星等半导体大厂，均投入三维（3D）晶体管的研发。

半导体业者表示，半个多世纪以来，晶体管一直都在使用2D平面结构，但英特尔昨天宣布，完成全球首颗可以量产的三维晶体管（3D Tri-Gate），等于宣告晶体管进入3D时代。

依英特尔宣称，开发成功的三维晶体管，比平面晶体管性能提升37% ，而且同等性能下耗电量减少一半，这意味著它们更加适合用于小型的行动载具。