新日铁与科锐签订SiC基板专利相互授权协议

2011年4月25日在东京都内召开了新闻发布会。（点击放大）
新日本制铁（新日铁）与美国科锐就新一代功率半导体等采用的SiC基板，签订了双方在全球所拥有专利的相互授权协议。双方可相互利用SiC块体基板和外延基板方面的专利。“目的是通过避免无谓的专利纠纷，在全球尽快建立起SiC功率半导体市场”（新日铁技术开发本部研究员兼尖端技术研究所所长桥本操）。

据新日铁介绍，日本的电子产品厂商在美国销售采用该公司SiC基板的功率半导体产品时，如果该SiC基板与美国科锐在美国获得的专利发生冲突，那么理论上科锐可以要求电子产品厂商停止销售这些产品。同样，在日本销售采用科锐SiC基板的产品时，也会发生同样的情况。对于电子产品厂商而言，这些都是不愿意遭遇的事态。

两家公司签订专利相互授权协议，“便可以让电子产品厂商在全球范围内放心使用SiC基板”（新日铁技术开发本部、尖端技术研究所新材料研究部长大桥渡）。在Si半导体行业，竞争对手就基本专利签订相互授权协议并不少见，但在SiC领域“签订这样的协议还是第一次”（新日铁材料常务董事、SiC晶圆部部长伊藤睿）。

目前，功率半导体SiC基板的市场份额为“科锐公司占50～60％，本公司占5～6％”（伊藤）。科锐在SiC基板方面拥有很多关键的美国专利，而在日本的专利方面，新日铁的专利被使用的业绩更胜一筹。市场份额占绝对优势的科锐之所以与新日铁签订相互授权，目的似乎还在于在拥有众多功率半导体知名企业的日本扩大销售额。

此次双方达成的相互授权协议中涉及的专利“不包括（在SiC基板方面作为竞争源泉的）结晶生长技术专利”（伊藤），而仅限于与结晶生长等核心技术无关的专利；也不包括产品相互供应和技术转让，目前双方还不打算涉及这些内容。另外，此次的协议中还包括功率半导体以外用途的SiC基板，具体指LED用SiC基板等。新日铁表示“在SiC基板业务方面，本公司目前专注于功率半导体用途”（桥本），显示近期并不计划涉足LED用SiC基板业务。（记者：大下 淳一）