EUV光源厂商散伙，EUV未来充满变数

日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已终止有关光源合资企业Gigaphoton的合作协议。Komatsu将从Ushio手中买下50%股权。未来Gigaphoton将成为Komatsu的全资子公司。而此举会为EUV的未来投下何种变数仍有待观察。

成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要业务是开发、生产和销售光刻工具用的准分子激光光源，是由Ushio和Komatsu合资成立的企业，双方各握有50%股权。

包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他业者都正在为下一代光刻工具开发EUV光源。Gigaphoton采用激光激发电浆型(LPP)户方法，而Ushio则采取放电激发电浆型(DPP)方法。

现在，Gigaphoton和Ushio将在EUV光源市场中展开竞争。Cymer公司是LPP技术的推动厂商。在LPP方法中，电浆是透过在指定材料上收集强大的激光束来激发，而DPP方法则是透过在电子间对大电流脉冲充电来激发电浆。

日本的Ushio去年收购了飞利浦电子的EUV光源业务。飞利浦之前便已将其EUV事业部转移到日本公司的EUV部门，称之为Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在从事EUV光源的研发，并自2008年起与飞利浦合作开针对下一代半导体技术的EUV光源。

Ushio在2005年取得Xtreme的50%股权，并于2008年与飞利浦携手展开研究，其研究也特别着重在EUV光源部份。而在同一年，Ushio也并购Xtreme，使其成为100%的子公司。

目前，作为下一代光刻技术主要候选人之一的EUV技术，仍然因为光源、光刻胶和关键掩膜与量测基础设施的缺乏而延迟(参阅电子工程专辑报道：光刻世界的期待与沮丧)。但芯片制造商仍对它充满寄望。“我们估计在14nm节点可导入EUV技术，”台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义说。

台积电的28nm工艺采用的是193nm浸入式光刻技术；蒋尚义表示将在20nm工艺导入双重曝光(double patterning)，而EUV技术则预计最快在14nm时才可望实现。

“EUV的最主要挑战在产量和光源，”蒋尚义说。尽管站在芯片供应商的角度，整个产业都致力于建构完整的EUV基础环境，但根本上EUV要能顺利应用仍然缺乏许多条件，特别是在光源部份，现在整个产业都在等待光源的改良。

不过，就算EUV真的赶不及，蒋尚义表示，仍有其他替代技术可供选择。他看好电子束技术。举例来说，“荷兰Mapper Lithography已经开发出110电子束系统了，尽管该系统仍在开发初期，但根据产品蓝图，未来该公司将提供13,000电子束系统，”蒋尚义说。

从技术角度来看，“我们至少可以延伸到7nm或8nm，”蒋尚义说。而芯片制造商在选择下一代光刻技术时，必须对晶圆成本做全盘考量。因此，下一代光刻技术的发展仍然充满变数。

台积电预计2012下半年试产20nm工艺，而预估2013~2014导入的18英寸晶圆也将搭配20nm工艺