碳基电子带领半导体技术迈向奈米微缩制程

工研院电光所所长詹益仁表示，半导体在后CMOS时代，制程及电晶体将面临物理上微缩极限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半导体界普遍看好未来取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年诺贝尔奖肯定石墨稀材料的优异表现后，产业界对以碳基材料取代矽材料更充满信心。

由于奈米碳管及石墨稀具有优异的机械、高导电及导热特性，可突破物理上微缩困境，让电晶体再行缩小，使电子有机会从矽基时代进入碳基时代，预计未来会先在下一世代逻辑电晶体、高频元件及平面显示器应用。

今年VLSI-TSA研讨会分别就奈米碳管及石墨稀的碳基材料，邀请IBM、美国史丹佛大学、哥伦比亚大学、日本庆应义塾大学（Keio University）德国伊尔墨瑙工业大学（Technische Universitat Ilmenau）等专家学者分享国际间对碳基电子的奈米碳管电子及石墨稀等技术进展的前景。