台积电拥抱18寸晶圆的理由：降低成本、精简人力

在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(Technology Symposium)上，该公司透露了更多有关 18寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息，台积电正全速进军 18寸晶圆技术领域，主要目的除了在于降低制造成本，也试图藉此领先诸如Globalfoundries、三星(Samsung)、联电(UMC)等竞争对手一步。

台积电进军18寸晶圆技术领域还有另一个动机；根据该公司资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)的说法，一旦进入18寸晶圆时代，该公司所需的工程师人数也将减少；他在接受EETimes访问时表示，台积电进入18寸晶圆制造约需十年的过渡期，届时所需的工程师人数会比现在少7,000人。

蒋尚义指出，台积电进军18寸晶圆制造有两个考量：首先，该公司认为随着时间推移，将越来越难招募到“好的工程师人才”；其次，台积电最后仅需要少数几座18寸晶圆厂，就能在未来满足客户的需求。与12寸晶圆厂相较，新一代晶圆尺寸整体生产力预计可增加1.8倍。晶圆厂变少，就不需要那么多工程师。

另一方面，台积电也预期将增加研发与资本支出，特别是在该公司持续致力于缩短制程技术学习曲线。而估计18寸晶圆厂营运成本约需100亿美元，相关制程设备成本也将飙升。

蒋尚义表示，台积电的18寸晶圆制造将起始于20奈米制程节点；该公司一开始打算在新竹的Fab 12晶圆厂建置一条18寸晶圆试产线、采用20奈米制程，时程大概在2013到2014年间。而届时台积电的12寸晶圆厂也将进入20奈米制程；蒋尚义表示，该公司的20奈米制程初产事实上也将以12寸晶圆厂为主。

接下来，台积电计划在台中建置首座18寸晶圆厂，也就是Fab 15，量产时程预定在2015到2016年之间。在起步阶段，该18寸晶圆厂会采用20奈米制程，然后进入14奈米节点；而到14奈米节点，台积电打算在电晶体结构上进行转换。

在20奈米及以上节点，台积电将继续采用传统以bulk CMOS为基础的平面电晶体，但从14奈米节点开始，该公司将由bulk CMOS转向FinFET 结构。也就是说，未来台积电将在Fab 15进行14奈米FinFET的量产。

编译：Judith Cheng

(参考原文： Why is TSMC moving into 450-mm?，by Mark LaPedus)