GLOBALFOUNDRIES参加IMEC研发项目，将开发22nm CMOS及GaN on Si技术

比利时IMEC宣布，美国GLOBALFOUNDRIES公司将参加该研究所的研发项目。发布资料显示，GLOBALFOUNDRIES已在有关（1）22nm节点制程CMOS技术、（2）硅（Si）上氮化镓（GaN）技术（GaN on Si技术）的战略性长期合作协议上签了字。

22nm节点制程CMOS技术开发项目以开发未来量产逻辑IC及存储器所采用的工艺为目的。包括材料与元件构造的研究、制造装置与工艺的探索、整合及工艺平台的构建等。GLOBALFOUNDRIES预定与其他参加企业进行EUV（extreme ultraviolet）光刻技术、逻辑IC与存储器用元件技术、纳米布线技术及三维（3D）整合方面的合作。参加企业包括垂直统合型半导体厂商（IDM）、硅代工企业、无厂企业、采用轻晶园厂策略的半导体厂商、制造装置厂商及部材厂商等。

GaN on Si技术开发项目的目标是开发出成本效率优良的高性能GaN on Si元件。该项目将推进开发使用200mm晶圆的GaN on Si技术。IMEC目前正在为此招募IDM、硅代工企业、化合物半导体厂商、制造装置厂商及晶圆厂商。（记者：长广 恭明）