联电TSV 3D IC技术

时间：2011-04-07 08:28:00

关键字：联电 IC 晶片尔必达

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]连于慧联电和记忆体大厂尔必达(Elpida)、记忆体模组大厂金士顿(Kingston)封测厂力成于2010年6月共同宣布协力开发3D IC技术和矽穿孔(Through Silicon Vias;TSV)制程技术，借著联电的逻辑制程技术，加上尔必达记忆体制

连于慧联电和记忆体大厂尔必达(Elpida)、记忆体模组大厂金士顿(Kingston)封测厂力成于2010年6月共同宣布协力开发3D IC技术和矽穿孔(Through Silicon Vias;TSV)制程技术，借著联电的逻辑制程技术，加上尔必达记忆体制程共同投入资源研发，联电会将此技术导入28奈米制程，预计于2012年可进入量产。

TSV 3D IC技术可应用于逻辑IC、记忆体晶片、影像感测元件、功率放大器、MEMS等领域。其他如三星电子(Samsung Electronics)等大厂也投入TSV 3D IC技术发展。

TSV为直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封装技术，让3D封装遵循摩尔定律(Moore's Law)演进的互连技术，TSV概念是堆叠多个晶片，可让电力互相连接的三次元堆叠封装(Stack Package)，TSV可使2D平面晶片技术演进至3D堆叠技术。

再者，TSV的晶片堆叠并不是用打线接合(Wire Bonding)的方式，而是在晶片钻出小洞，从底部填充入金属，作法是在每一个矽晶圆上以蚀刻或雷射方式钻孔，再以导电材料如铜、多晶矽、钨等物质填满，达成连接的功能，最后将晶圆薄化再加以堆叠。

虽然业界认为2012年TSV 3D IC技术将进入量产，但也有分析师认为此技术的成熟度和商业化可能需要更久的时间。(? s于慧)