新思科技嵌入式记忆体采台积电28奈米制程

IC设计自动化工具软体/系统单晶片(SoC)设计IP解决方案大厂新思科技(Synopsys, Inc.)30日在美国股市开盘前发布新闻稿指出，该公司已与台积电(2330)携手研发各式种类的DesignWare介面PHY IP解决方案，其中包括超高速的SuperSpeed USB 3.0、USB 2.0、HDMI、PCI Express、DDR与SATA，以及采用台积电28奈米制程的嵌入式记忆体。新思科技与台积电已有多年合作经验。

新思科技表示，这项合作不仅能使设计商把更多功能融入先进的系统单晶片当中，也可满足低耗电与体积小的要求。省电的特性适合现今要求续航力的行动科技产品。The DesignWare PHY IP预定在Q2推出，而SiWare内嵌记忆体的各种DesignWare IP解决方案目前便可使用。

台积电已于2010年7月与英国PC处理器暨手机IC设计巨擘安谋(ARM Holdings)签订长期策略合作协定，未来将在台积电制程平台，扩展ARM系列处理器的及IP设计开发，并合作开发28及20奈米制程嵌入式记忆体产品，跃升为ARM处理器的最大代工厂。