英特尔斥资50亿建新厂 主攻14nm晶体管

近日，美国总统奥巴马在英特尔总裁兼首席执行官Paul Otellini的陪同下，参观了英特尔位于俄勒冈州Hillsboro的芯片制造工厂，芯片巨头表示，将会在美国建立新的芯片制造厂，用于生产英特尔下一代14nm晶体管和300mm晶圆。

Otellini在陪同奥巴马参观时表示，斥资50亿美元的新生产厂将位于英特尔目前在亚利桑那州的Chandler办事处，凤凰城东南部约15公里。

英特尔副总裁Josh Walden在电话会议上表示：“Fab 42将成为英特尔的第11个芯片加工厂，同时会为当地带来数以千计的就业机会，该厂计划于今年年底开工建设，预计在2013年完工。”

奥巴马高度赞扬了英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州建设芯片工厂为美国高科技发展所做出的努力。奥巴马还表示：“将会增加对数学和科学教育的财政投入，确保更多的人都有能力来胜任这项高科技工作。”

Walden表示：“新工厂的芯片制造业务将会在2013年下半年全面展开。进入生产模式后，该工厂将雇佣大约1000名长期员工。此外，Fab 42也将会成为世界上最先进、产量最高的半导体工厂。”

Walden还表示：“我们相信基于顶级芯片的计算设备，从高端服务器到精致时尚的便携设备，都将会给消费者带来空前水平的性能和节能效率。”

该工厂将采用领先的14nm制程工艺，达到了晶体管技术的最小尺寸。1nm是1m的十亿分之一，相当于人类头发丝直径的9万分之一。Fab 42将会作为一个300mm的晶圆制造工厂，新的300mm晶圆将被用于先进的14nm制程。

英特尔将近75%的销售额都来自美国以外的国家，而实际上英特尔四分之三的芯片厂均位于美国。