中芯终结5年亏损　三级跳计画启动

郑茜文／台北 大陆晶圆代工厂中芯国际公布2010年第4季财报，单季获利大增125%，达6,857万美元，累计2010年营业利益为2,185.9万美元，在历经连5年的亏损后，终于转亏为盈。中芯预期，2011年营收成长幅度将高于晶圆代工业的平均，亦即将高于约14%。

中芯2010年第4季营收达4.12亿美元，较上季成长0.4%，毛利率由2010年第3季的24.5%下滑至23.9%，营业利益为4,133万美元。在获利方面，由于受惠大陆政府补助水电费用的业外挹注下，带动单季税后净利达6,857万美元，季增率高达125%。

中芯指出，第4季营运畅旺主要来自于国际整合元件厂(IDM)增加释单，以及获得更多来自本土IC设计的订单，使得产能利用率维持在96.8%的高档水准，单季出货量来到51.7万片8吋约当晶圆。

从全年度来看，中芯2010年营收达15.55亿美元，年增率达45.2%，毛利率为19.9%，营业利益为2,185.9万美元，净利为1,310万美元，终结连5年的亏损。

中芯国际预计，公司第1季营收将比2010年第4季下滑6~9%，至4.118亿美元。中芯执行长王宁国表示，首季营收的下滑主要受季节性因素的影响，第2季将有强劲的增长，全年营收将优于晶圆代工业平均14%的年成长幅度。

中芯计划于2! 011年启动为期5年的「三级跳」计画，将大幅扩充12吋晶圆产能，预计于2015年，12吋年产能将达200万片，届时，年营收达50亿美元规模。

根据计画，中芯第1个跳跃在2011年，将扩充北京一厂的65/55奈米产能，第2个跳跃则在2011~2012年间，快速扩充上海厂的45/40奈米产能。第3个跳跃，则是目标在2013~2014年间量产32奈米高介电质金属闸(HKMG)制程。亦即，到2014年，中芯的制程技术将由目前的65/55奈米制程，提升到32/28奈米制程。