台积电2011年仍取攻势，设备投资再创新高

台湾台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）的日本法人——TSMC日本于2011年1月28日在东京举办了业务说明会，介绍了2011年1月27日TSMC在台湾公布的2010年业绩及2011年设备投资计划等。TSMC预计2011年除存储器外的半导体市场的增长率将比上年增长7％，而该公司的销售额则计划比上年增长20％。2011年的设备投资将创该公司历史新高，达78亿美元。

2010年全年销售额为133亿美元，比上年增长了48％，实现了大幅增收。最近的2010年10～12月的销售额以台币结算比上季度减少了1.9％。这受到了台币升值的很大影响，“以美元结算则为比上季度增收”（TSMC日本董事社长小野寺诚）。比上年同期以台币结算增收19.6％。预计2011年1～3月的销售额以台币结算将比上季度减少3～5％。但以美元结算则“基本与上季度持平”（小野寺诚）。

设备投资方面，2010年的投资额为创历史最高记录的59亿美元。最近“连续6个季度，每季度投资10亿美元以上”（小野寺诚）。如此积极的投资使2010年全年总产能（按200mm晶圆换算）比上年增加了14％。其中，65nm工艺以后尖端产品的产能同比增加了37％。

2011年TSMC的攻势不减。计划进一步加速设备投资。2011年全年的设备投资额将达到78亿美元，比上年增长32％。由此，2011年全年总产能预定比上年增长20％。据称上述设备投资额的81％将用于扩大65nm以后工艺的产能。研究开发费用方面，2011年全年将投资11亿美元。主要用于20nm和14nm以下工艺的技术开发。

台积电2011年之所以继续进行如此果断的投资，原因是看到了半导体需求的良好发展势头。特别是以40nm工艺为中心的尖端产品中“面向智能手机和平板终端的半导体需求正日益增长”（小野寺诚）。40nm工艺产品在全部销售额中所占的比例在2010年初期仅仅为几个百分点，但在2010年10～12月就增长到了21％。2011年将增加28nm工艺产品。预计在2011年10～12月，28nm工艺产品将占据整体销售额的2～3％。2012年该比例将上升至两位数。

TSMC在1月27日的台湾发布会上，介绍了使用450mm晶圆的半导体生产相关计划。首先，2013～2014年将建设面向20nm工艺的试产线（Pilot Line）。将在台湾新竹“Fab12”的Phase6导入相应生产设备。计划2015～2016年建设量产生产线，将在台中“Fab15”的Phase5导入相应生产设备。（记者：大下 淳一）