瑞萨及TSMC高层在“世界半导体峰会”发表战略演讲

“世界半导体峰会＠东京2011～半导体产业，成长宣言～”（2011年1月24日于日经大厅召开，《日经电子》主办）隆重举行，各大半导体厂商高层分别就各自的发展战略等发表了演讲。

瑞萨电子代表董事社长赤尾泰以“面向智能社会的新生瑞萨电子的成长战略”为题发表演讲，介绍了该公司的战略等。该公司将以全球份额第一的MCU为优势，扩大与模拟和功率半导体等元件相结合的解决方案业务，快速应对社会的智能化和全球化。在应对社会智能化的解决方案方面，该公司展示了车用和智能电网用解决方案等具体事例。在全球化方面，该公司将把海外与日本国内的销售比率从2010年度的50:50调整为2012年度的60:40，具体措施是通过向当地转移权限等方式强化在中国的MCU业务。并且把在中国开发的MCU推向世界。

美国GLOBALFOUNDARIES首席执行官道格拉斯·格罗斯（Douglas Grose）以“基于创新提出技术与生产新模式”为题发表演讲，对该公司的尖端技术等进行了说明。其中谈到了采用高电容率栅绝缘膜＋金属栅电极（HKMG）的28nm工艺、三维封装技术等。尤其是在曝光技术方面，关于作为未来技术进行开发的EUV曝光技术，该公司已经通过设在德国德累斯顿的掩模店铺开始供应60以上的EUV掩模，到2012年下半年将在美国纽约的晶圆处理线导入量产等级的EUV曝光装置，在2014～2015年在开发线实施量产。

尔必达内存代表董事社长兼首席执行官坂本幸雄以“日本国内唯一的DRAM厂商，向全球第一发起的挑战”为题发表演讲，介绍了该公司的现状。目前，DRAM价格暴跌使得该公司面临着严峻的业务环境，但子公司台湾瑞晶电子（Rexchip Electronics）实现了高于同行业其他公司的成本竞争力，广岛工厂的成本竞争力强化也在推进之中。瑞晶目前已经全面完成了向40nm工艺DRAM生产的转移，其成品率达到了与上一代的65nm工艺相同的水平。而且，随着广岛工厂逐渐降低成本，到2010年第三季度，该工厂的成本将只比瑞晶高5％，达到基本相同的水平。今后，该公司将致力于智能电话和平板终端用DRAM，逐步提升其收益性。为此，包括按照DRAM品种分别建设虚拟专用生产线在内，该公司将着手开展生产、质量、供货等各项体制的重组。

台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）全球业务暨营销资深副总经理陈俊圣（Jason C.S. Chen）以“通过推动合作开拓新时代”为题发表演讲，谈及了有关28nm工艺的进展情况等。陈俊圣介绍说，28nm工艺采用了HKMG和应变硅，目前工厂建设正在顺利进行。流片已经开始，截至2012年预定共有71个流片。此外，陈俊圣还谈到了今后的量产工厂建设计划，表示正在进行Fab.12-phase7的建设准备。（记者：长广 恭明）