联电CMOS-MEMS技术研发有成 预计今年量产
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联电表示,采用该公司 CMOS-MEMS 技术制造的麦克风元件已经完成功能验证,讯噪比(S/N ratio)可达到 56dBA 以上之水准,其性能极具国际竞争力,预计将于今年上半年提供工程样品,接著便能进入量产。 CMOS-MEMS 加速度计的产品开发也己符合消费性电子产品之应用规格(1g~16g),其功能也达量产的目标。
除了已与多家客户合作开发各样的 MEMS 晶片和高度整合的 CMOS-MEMS 产品,扩展微机电感测器于生活或环境监测之高阶应用之外,联电也以自身多样性的CMOS制程技术,提供微机电专用 ASIC 晶片之专工服务,以支援各种微机电应用。
「MEMS技术的开发是一个极大的挑战,我们在MEMS技术上获得的成功,证明了联华电子对客户一贯的承诺,提供创新、高效能并且简洁的解决方案。」联电特殊技术开发资深处长陈立哲表示。
面对MEMS感测器应用的日益普及, CMOS-MEMS 专工服务需求也急速增加;联电表示未来将开放此 CMOS-MEMS 技术,提供产业及学术界做为新元件的开发,以期降低IC设计公司的进入门槛,提升台湾在全球MEMS产业的整体竞争力。