将在ArF液浸上采用14nm工艺，IBM与凸版印刷签订共同开发协议

凸版印刷宣布，该公司与美国IBM签订了关于共同开发14nm用ArF液浸掩模的协议。据发布资料显示，IBM计划将ArF液浸光刻技术延伸至14nm，因此双方决定此次进行共同开发。

两家公司从2005年起持续共同开发掩模，目前已完成45nm、32nm、22nm和20nm等掩模技术的开发。此次签订共同开发协议是两公司合作的延续，开发周期为2011～2012年。开发基地为IBM的伯林顿工厂（美国佛蒙特州埃塞克斯章克申）和凸版印刷的朝霞工厂（琦玉县新座市）。柏林顿工厂主要推进工艺技术的确立，朝霞工厂主要推进掩模量产技术的确立，这一点与以前一样。

在此次共同开发中确立的掩模技术将应用于IBM公司自主开发的或与各半导体公司共同开发的工艺技术。与IBM共同开发工艺的半导体厂商有韩国三星电子（Samsung Electronics）、美国GLOBALFOUNDARIES以及意法半导体（STMicroelectronics）等。

关于共同开发的掩模技术的详情，具体是将继续支持22nm和20nm工艺支持的二次图形（Double Patterning，DP）以及SMO（Source Mask Optimization）等。通过使用这些技术，旨在在不导入新一代光刻技术EUV（Extreme Ultraviolet）的情况下构筑14nm工艺。（记者：长广 恭明）