Microsemi发布65nm嵌入式闪存工艺平台

美高森美(Microsemi) 的SoC产品部(原Actel公司)11月17日于北京发布了65nm嵌入式闪存工艺平台。“这是与台联电(UMC)合作开发的，今后将成为我们低功耗、具有四输入查找表(LUT)架构FPGA的统一平台。适于工业、医疗、军事/航天、航空、通信和消费产品市场。目前已完成首个商业化硅器件。”市场推广及销售高级副总裁Jay Legenhausen表示。

图1 65nm嵌入式闪存工艺平台的低功耗特性

图2美高森美FPGA架构重点


65nm嵌入式闪存工艺平台的主要特点包括，将FPGA的器件密度从此前130nm工艺的300万逻辑门增加到上千万门，性能也会提升1倍。此外，动态功耗降低了65%，增强的Flash*Freeze技术可降低静态电流；采用了ARM Cortex-M3微处理器架构，及DSP模块；具有防止篡改、防止过度建设（overbuild）的保护功能；集成了标准总线接口、高速收发器、存储器接口、非易失性闪存和可编程模拟部件。

目前，65nm嵌入式闪存工艺平台的厂商除美高森美外，还有东芝、瑞萨电子、三星、飞思卡尔、塞普拉斯等。笔者认为，该市场已显得越来越拥挤，竞争也会更趋激烈。

Legenhausen还透露，65nm第四代耐辐射(RT)FPGA有2000万个系统门，提高了触发器、存储器容量，并集成了更多的嵌入式IP内核，如DSP模块、PLL和SpaceWire、DDR2/3、PCI Express高速接口。能够缓减总体辐射剂量和单事件效应(SEE)。相比SRAM FPGA，由于固有单事件翻转(SEU)免疫能力，只需单个FPGA即可。主要应用于太空领域。

同时发布的还有通过-55℃~+100℃测试的Fusion混合信号FPGA。分别含有60万和150万等效系统门，223个用户接口。其主要特点是可重编程、高可靠性和非易失性，及固件错误免疫。在极端温度下监控并管理电压、温度和电流的能力，使其适于军事、航空和防御行业，如在极端环境运作的军用武器和下翼航行器系统。

据了解，耐辐射FPGA和Fusion FPGA将向日本、韩国和台湾市场供应。不过，除工业应用外，不会向中国军用市场提供。（特约记者 汉夫）