光罩、光阻问题大　EUV机台量产路途遥

微影设备大厂艾司摩尔(ASML)首台深紫外光(EUV)机台已正式送到客户端进行装机，日前，ASML也用EUV机台试产出首片27奈米半间距(half pitch)的芯片。不过，目前EUV除成本高昂外，光罩检测与光阻为目前EUV进入量产的两大难题，使得EUV是否能来的及进入量产仍困难重重。

ASML虽已产出27奈米半间距芯片，但由于该芯片设计为实验性质，与实际量产、形状多变复杂的设计，仍有相当大的差距，因此对业界来说，仅具代表性意义。

目前ASML的第1台EUV微影机台NXE:3100已正式出货，在2011年中前，还有5台将陆续出货，至于量产型NXE:3300机台，将有8套订单在2012年开始出货。

然而，就整个半导体制程来说，光罩检测已被业界认为是22奈米最严重的问题；由于EUV微影设备售价昂贵，因此假设1个厂房中有20台微影机台，客户恐仅愿意设置1台光罩检测机台，使得检测设备需求相对少了许多，因此也降低厂商开发意愿。检测设备相关厂商如科磊(KLA-Tencor)。

若进一步推到16奈米，光阻将成为最大的难题，如光阻敏感度(photosensitivity)，线边缘粗糙度(Line Edge Roughness；LER)，以及线宽粗糙度(Line Width Roughness；LWR)等问题，目前尚未? }发出规格符合且可量产用的光阻。相关投入厂商包括陶氏化学(Dow Chemical)、信越及Sumitomo等。

其实最令业界忧心的是，外围设备及材料供货商，大部分公司规模无法长期投入重金，进行EUV技术的研发，若这些供货商出现断层，恐影响整个EUV技术的成熟度，并拖迟EUV进入量产的时程。因此，目前业界也有部分产业联盟组织，协助外围供货商寻求资金奥援。因此未来包括台积电、全球晶圆(Global Foundries)等EUV的潜在使用者，都可能必须投资设备厂，以维持EUV供应链的完整。

身为EUV阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(imec)认为，EUV技术最快于2014年可望技术量产，而应用内存制程又将早于逻辑制程。若以ASML将于2012年开始出货量产型的NEX:3300机台来算，乐观者认为，可能2013年，EUV技术就可进入量产；反之，悲观者则认为，由于供应链不健全，恐延至2015年。