EUV机台　

深紫外光(EUV)技术是次世代微影技术之一，其他还还包括无光罩多重电子束、浸润式微影多重曝光技术等，EUV技术主要的开发商是设备大厂爱司摩尔(ASML)，当半导体制程技术走入20奈米或是10奈米以下，现有的浸润式曝光(Immersion Scanner)机台就不敷使用，必须进转到下一世代的微影技术。

浸润式曝光机台是在光源与晶圆中间加入水的原理，使波长缩短到132奈米的微影技术，EUV曝光设备是利用波长极短的紫外线，在硅基板上刻出更微细的电路图案。

目前支持EUV技术阵营包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、台积电、东芝(Toshiba)、全球晶圆(Global Foundries)等，其中台积电除了EUV技术之外，也投入无光罩多重电子束制程开发，显然是多方技术压宝；而台系DRAM厂中，目前仅有瑞晶决定采购EUV机台，预计2012年机台设备才会到位，届时时间点当好赶上转进20奈米制程。

目前EUV机台最为人诟病之处在于成本价格太高，加上光罩与外围材料设备成本也相当高，对晶圆厂是很大的成本负担，业者希望未来机台成熟度高、光罩及光阻等技术改进下能降低成本售价。

过去1台浸润式曝光机售价约新台币10~15亿元，现在1台EUV机台售价? O浸润式曝光机的2~3倍，约1亿美元，且= x设备恐怕只能用来转换1万片的12吋晶圆，现在1座12吋晶圆厂少则3~5万片，多则12~15万片，未来转进20奈米制程的代价相当贵。

ASML投入EUV机台技术的开发费用已超过10亿欧元，第1代EUV机台NXE3100已陆续出货，预计2012年将推出量产型机台NEX3300。(连于慧)