设备商出新招　半导体制造成本再下探

甫于日前落幕的日本半导体设备暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括应用材料(Applied Materials)与艾司摩尔(ASML)等设备大厂分别宣布，在半导体蚀刻(Etch)与微影(Lithography)制造技术上取得新的突破，将可大幅提升半导体业者在先进制程世代的制造良率，并降低整体营运成本。

制程的进步相对会造成蚀刻步骤的增加，进而加重成本负担，因此，精准、智慧型且高生产力的蚀刻系统便益发重要。
应用材料副总裁暨蚀刻事业处总经理叶怡利表示，蚀刻是半导体业界发展最快的市场之一，因为要实现先进微晶片的极小电路，须仰赖愈来愈多关键的蚀刻步骤；因此，该公司推出新的智慧型蚀刻系统，除可让每片晶圆均匀度达埃(Angstrom)等级，提高生产良率外，亦能在每小时处理高达一百八十片晶圆，从而减少 30%的单片晶圆成本，是因应未来高度复杂的晶片制造不可或缺的关键设备。

据了解，应用材料所推出的Centris AdvantEdge Mesa蚀刻系统，主要是系因应22奈米及其以下先进制程的逻辑和记忆体晶片制造所开发，其包含六个蚀刻制程反应室和两个电浆清洗制程反应室，在搭配该公司专利的智慧型系统软体运作下，可确保每个反应室的每项制程都能精确对准，以达到比市场其他半导体蚀刻系统快两倍的处理速度。

与此同时，应用材料也针对近来快速崛起的矽穿孔(TSV)技术，推出全新的加强型Silvia蚀刻系统，利用新电浆源将半导体蚀刻速率大幅提升40%以上，快速制作出高深宽比且剖面光滑垂直的导孔结构，让Silvia系统的导孔蚀刻成本首度下降至每片晶圆低于10美元的价位，将有助晶片制造商加速导入矽穿孔技术，进一步推动三维晶片(3D IC)的发展。

另一方面，微影设备大厂艾司摩尔也宣布，两家位于亚洲的晶片制造商已分别利用该公司TWINSCAN XT:870和TWINSCAN XT:400微影扫描机台，创下每天处理超过四千片晶圆的记录，为12寸晶圆的微影作业生产力设下新的门槛。艾司摩尔执行副总裁暨行销长Frits van Hout表示，为客户创造更高生产力一直是艾司摩尔努力的目标，而这项新的里程碑即是该公司与客户间紧密合作成效的最佳印证。

据了解，艾司摩尔目前已有超过两百台的微影扫描机年产量可达百万片晶圆的水准，其中包括iLine、KrF、ArF等型式的扫描机，以及超过二十五台浸润式(Immersion)微影扫描机。随著艾司摩尔与客户端技术经验的日益丰富，现今一台微影扫描机只消37周的时间，即可调整到年产量百万台的水准，对微影制程成本结构的改善，不啻有莫大助益。