英特尔发表多栅极型产品，在III-V族沟道FET一马当先

美国英特尔和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET（演讲编号：6.1）。提高了沟道控制性，与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏极感应势垒降低）等特性得到改善。这是英特尔设想在预计采用多栅极构造的15～11nm以后的CMOS中导入III-V族半导体沟道所取得的成果。

两公司共同开发的FET采用以构成能量势垒的InAlAs层和InP层将n型InGaAs沟道层的上下面夹在中间的量子阱构造。该构造可将电子封闭在薄的InGaAs沟道层中，因此容易提高基于栅电极的沟道控制性能。通过在此基础上组合使用多栅极构造，可抑制在原来的III-V族半导体沟道FET中容易成为问题的短沟道效应。栅极长度最小为70nm，采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜，并将等价氧化膜厚减薄到了2.05nm。栅极长度为70nm的元件，其DIBL约为100mV/V，S因子约为120mV/dec，均比平面构造的InGaAs沟道FET出色。

英特尔从2008年前后开始大量发表逻辑LSI用III-V族半导体沟道FET的开发成果。目前在III-V族半导体沟道FET的开发上，“英特尔为业内一枝独秀”（东京大学教授高木信一）。英特尔迄今已在FET技术方面逐一攻克了Si基板应用、high-k绝缘膜的导入以及短沟道化等课题。此次通过导入多栅极构造，朝着在微细CMOS工艺中的应用又迈进了一步。（记者：大下 淳一）

此次开发的III-V族半导体沟道FET （点击放大）

此次开发的FET的构造（点击放大）

S因子特性（点击放大）