支持新型NV存储器工艺，爱发科开发出PVD/CVD/ALD成膜装置

日本爱发科（ULVAC）开发出了多室型成膜装置“ENTRONTM-EX2 W300”。该装置将在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出，并从2010年11月开始受理订单，从2011年4月开始销售。ENTRONTM-EX2 W300以该公司溅射装置“ENTRONTM-EX”为基础开发而成，装置价格与原来相当，但处理量增加了75％，生产效率得到大幅提高。而且还实现了可支持DRAM、逻辑IC、闪存所用下一代工艺以及新型非易失性（NV）存储器所需工艺的灵活性及扩展性。

对于ENTRONTM-EX2 W300，爱发科半导体装置事业部董事事业部长五户成史充满信心地表示：“2011年度（2011年7月～2012年6月）的销量预定在20多台，但在数年后的最鼎盛期将努力达到50台/年，而且顺利的话将力争增至100台/年”。作为依据，五户指出此次的装置兼顾了生产效率和工艺扩展性。该公司在已有金属成膜装置市场上与大厂商存在较大份额差距。面对这种情况，该公司打算首先凭借此次装置的高生产效率来缩小这一差距，然后再随着下一代工艺技术及新型非易失性存储器的崛起，迅速夺取市场。

在生产效率方面，此次的装置通过开发新型机器人并导入新型EFEM，使处理量比该公司产品增加75％，达到了175枚/小时。而且还标配了对搬运时的晶圆位置偏移进行自动修正的功能以及对晶圆破裂进行检测的功能。此外还颇为注重环保，对装置上配备的电路采取了逆变器化设计，并配备了在装置待机时切断电路，使之休眠的功能，从而将装置的耗电量减少了30％。环保性能方面还符合“RoHS”指令。

在灵活性及扩展性方面，实现了对DRAM的3Xnm、逻辑IC和NAND型闪存的1Xnm等下一代工艺技术，以及MRAM（磁阻存储器）、PRAM（相变化存储器）等新型非易失性存储器所用工艺技术的支持。具体的工序设想以包括触点的金属布线形成，以及栅极、存储单元的金属电极形成等为对象。可利用同一台装置综合进行溅射（PVD）、CVD、ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）等处理。

另外，根据工序的不同准备有单机机型和串联机型两种机型。单机机型可连接四个工艺模块和两个小型模块（脱气、气体冷却、退火等）。而堆叠机型则可连接八个工艺模块和两个小型模块。另外还可选配非接触式射出温度监视器、表面反射率检测监视器及RGA分析监视器（Qulee）等。装置价格约为4亿5000万（单机机型）～7亿（串联机型）日元。（记者：长广 恭明）